La nueva memoria de IBM que podría sustituir a la RAM y la SSD

En la búsqueda por el sistema de almacenamiento definitivo, las diferentes compañías informáticas han presentado proyectos para conseguir este gran avance. Micrososft, por ejemplo, presentó su ADN sintético o Intel su memoria 3D Xpoint. Pero ha sido IBM quien ha presentado un nuevo método capaz de procesar datos a gran velocidad y además presentar un gran almacenamiento con sus memorias de cambio de fase.

Este nuevo tipo de almacenamiento también conocido como PCM consigue aunar las capacidades de la memoria RAM y de la flash en un solo componente. Este dispositivo sería capaz de funcionar con la rapidez de la RAM pero mejoraría la volatilidad que tienen las memorias flash.

Este hallazgo podría llevar a la próxima sustitución de las memorias RAM y flash ofreciendo el almacenamiento de todo un sistema operativo en un solo PCM y acceder a él de manera mucho más rápida con lo que se podría crear una caché mucho más rapida en un smarphone y optimizar su funcionamiento

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El sistema se compone por una estructura amorfa en estado cristalino que permite el almacenamiento de la información dependiendo del voltaje que circule por la misma. El sistema, al poseer más variables que «1» y «0» permite almacenar hasta tres bits por celda, algo hasta ahora inexistente.

Por esto las memorias tendrán una velocidad hasta 50 veces más rápida que las flash y casi igualar la rapidez de las memorias flash. Todavía se encuentra en proceso de desarrollo pero la compañía IBM asegura que supondrá un cambio significativo en lo que al almacenamiento de datos se refiere.